谷爱凌谈被批评：我不想浪费时间在没有受过足够教育的人身上

谷爱凌谈被批评：我不想浪费时间在没有受过足够教育的人身上

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非挥发性电解质栅控晶体管（EGTs）具有突出的模拟开关性能（突触器件最关键的特性），凌谈浪费最近被证明是一种很有前途的突触器件。被批不想（b）单次触发沟道电导ΔG的平均变化与脉冲宽度的关系。

这种EGT器件表现出准线性的模拟开关特性、时间上良好的耐受性（106）和保持性、时间上高开关速度的100ns、超低读出电导（100nS）以及超低操作能耗密度（20fJμm-2）。有受育（c）8个输出神经元的膜电位(Vm)与移动方向方位角的关系。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，人身投稿邮箱：[email protected]投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenvip。

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（b）测量了流经每个突触的突触电流（上面三幅图）和模拟的膜电位（Vm）在输入了脉冲序列3-2-1和1-2-3变化，被批不想（底部图）。

时间上（e）时空脉冲序列学习过程中的权重变化。有受育杭州亚运会开闭幕式官方纪录片《绽放》将于11月28日—12月2日在浙江卫视首播。

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